类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
IXYS
系列
HiPerFET?, Ultra X2
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
76 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4810 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
660W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXFH46