型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFK260N17T

GigaMOS Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFK260N17T

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

LITTELFUSE

力特

GigaMOS Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

GigaMOS Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

IXFK260N17T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK260N17T

  • 功能描述

    MOSFET 260A 170V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-29 15:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-264
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
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24+
TO-264-3
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IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
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TO-3PL
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS/Littelfuse
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TO-264
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IXYS(艾赛斯)
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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