IXDH30N120价格

参考价格:¥37.1829

型号:IXDH30N120 品牌:Ixys 备注:这里有IXDH30N120多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDH30N120批发/采购报价,IXDH30N120行情走势销售排行榜,IXDH30N120报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXDH30N120

High Voltage IGBT with optional Diode

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA VCES = 1200 V IC25 = 60 A VCE(sat) typ = 2.4 V Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● M

IXYS

艾赛斯

IXDH30N120

High Voltage IGBT with optional Diode

文件:89.51 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDH30N120

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

IXDH30N120

NPT 标准 IGBT

Littelfuse

力特

High Voltage IGBT with optional Diode

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA VCES = 1200 V IC25 = 60 A VCE(sat) typ = 2.4 V Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● M

IXYS

艾赛斯

NPT IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.9V@IC=30A · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters

ISC

无锡固电

High Voltage IGBT with optional Diode

文件:89.51 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

NPT 标准 IGBT

Littelfuse

力特

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

Field stop trench technology

General Description Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications. Features • Fi

Fairchild

仙童半导体

Field stop trench technology

General Description Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications. Features • Fi

Fairchild

仙童半导体

1200V, 30A Trench IGBT

文件:614.76 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

1200V, 30A Trench IGBT

文件:614.76 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 30A

文件:559.44 Kbytes Page:6 Pages

Fuji

富士通

IXDH30N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDH30N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
22
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS/艾赛斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IXYS
24+
TO-247
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247AD
600
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
IXYS
25+23+
TO-247
30670
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXYS
22+
TO247AD (IXDH)
9000
原厂渠道,现货配单
24+
8866
IXYS
23+
TO-247
8000
只做原装现货
IXYS/艾赛斯
2447
TO-247
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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