型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGH30N120FTDTU

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH30N120FTDTU

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 60A 339W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

Fieldstoptrenchtechnology

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,30ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

FGH30N120FTDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGH30N120FTDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-CH/1200V 30A FS Trench

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-16 11:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO-247
4099
十五年行业诚信经营,专注全新正品
FAIRCHILD
23+
TO-247
5500
原厂原装正品
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3330
原装现货,当天可交货,原型号开票
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247
55200
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ON
23+
TO-247
25
正规渠道,只有原装!
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
Fairchild
24+
150
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
FSC
10+
TO-247
44
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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