FGA30N120FTDTU价格

参考价格:¥21.9169

型号:FGA30N120FTDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有FGA30N120FTDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGA30N120FTDTU批发/采购报价,FGA30N120FTDTU行情走势销售排行榜,FGA30N120FTDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGA30N120FTDTU

1200V, 30A Trench IGBT

文件:614.76 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGA30N120FTDTU

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 60A 339W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

1200V, 30A Trench IGBT

文件:614.76 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

Field stop trench technology

General Description Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications. Features • Fi

Fairchild

仙童半导体

Field stop trench technology

General Description Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications. Features • Fi

Fairchild

仙童半导体

Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 30A

文件:559.44 Kbytes Page:6 Pages

Fuji

富士通

FGA30N120FTDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA30N120FTDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 30A FS

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
18+
TO3P
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
1224
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
5380
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
ON(安森美)
2447
TO-3PN
105000
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
FAIRCHILD
25+23+
TO-3P
34326
绝对原装正品全新进口深圳现货
Fairchild/ON
22+
TO3PN
9000
原厂渠道,现货配单
Fairchild
24+
94
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应

FGA30N120FTDTU数据表相关新闻

  • FG28X7R1H104KNT06

    多層陶瓷電容器MLCC - 引線電容器 RAD 50V 0.1uF X7R 10% LS:5mm

    2023-12-28
  • FGA40T65SHD

    FGA40T65SHD

    2023-8-22
  • FG-23629-D65

    FG-23629-D65

    2023-3-24
  • FG-23329-D65

    FG-23329-D65

    2023-3-24
  • FGA60N65SMD原装正品 假一赔十

    焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务,解决您的BOM表采购之痛,让您采购无忧!

    2021-1-14
  • FGA60N65SMD

    650 V TO-247-4 IGBT 晶体管 , 4.5 kV IGBT 晶体管 , 650 V TO-247 IGBT 晶体管 , 1200 V Si 300 A IGBT 晶体管 , 650 V Si 100 A IGBT Transistors IGBT 晶体管 , 600 V Single Through Hole 40 A IGBT 晶体管

    2020-6-29