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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXDA20N120AS-TUB | 包装：管件 描述：IGBT 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Corporation |  |   |
63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas | Intersil Intersil Corporation |  | | |
Generalpurposeinverters 文件：820.86 Kbytes Page：9 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 |  | | |
Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage 文件：769.26 Kbytes Page：6 Pages | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 |  | | |
1200V,20ATrenchIGBT 文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
1200V,20ATrenchIGBT 文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
IXDA20N120AS-TUB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDA20N120AS-TUB
- 功能描述
IGBT 晶体管 20 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
155 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
N/A |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IXYS |
0704+ |
DIP-8 |
155 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
23+ |
8-DIP |
65480 |
||||
IXYS |
22+ |
DIP |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IXYS |
2450+ |
CDIP |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
IXYS |
23+ |
DIP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-263AB |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
N/A |
2447 |
DIP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
IXYS |
23+ |
DIP |
7000 |
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2020-4-10
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