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IXBT20N300价格
参考价格：￥154.9592
型号：IXBT20N300 品牌：IXYS 备注：这里有IXBT20N300多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXBT20N300批发/采购报价，IXBT20N300行情走势销售排行榜，IXBT20N300报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXBT20N300 | HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGener | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXBT20N300 | 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：管件 描述：IGBT 3000V 50A 250W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 3000V 50A 250W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •4000V~ElectricalIsolation •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-Mode | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGener | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
HighVoltage,HighFrequency,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •4000V~ElectricalIsolation •HighBlockingVoltage •HighFrequencyOperation Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IXBT20N300产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXBT20N300
- 功能描述
IGBT 3000V 50A 250W TO268
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
BIMOSFET™
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯场效应管 |
21+ |
TO-268 |
6000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-268 |
10866 |
全新原装 |
|||
IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
|||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-268 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IXYS |
22+ |
TO268 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-268 |
8866 |
||||
IXYS |
23+ |
TO268 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXBT20N300规格书下载地址
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IXDD614YI，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IX9915N
具有350V达林顿晶体管的低压误差放大器–IX9915系列 IXYS集成电路在具有350V达林顿晶体管的误差放大器中提供多功能产品设计
2020-4-10
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