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ADNS-6530	IntegratedCOBLaserStreamTMSensor 文件：103.82 Kbytes Page：1 Pages	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体

ISL6530CRT供应商更多...

更新时间：2024-5-15 18:05:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特莱科技有限公司	653105131822	WURTH/伍尔特	22+21+	SMD5	5157	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
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ISL6545CBZ
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
ISL6528-双稳压器-标准降压PWM和线性电源控制器
该ISL6528提供了电源控制和保护两个高性能图形卡的输出电压和其他嵌入式处理器的应用。这种双输出控制器驱动在一个标准的降压的N沟道MOSFET拓扑结构和配置中的线性npn型晶体管。同时提供的ISL6528稳压大电流，低电源电压和一个独立，较低的电流供应集成在一个8引脚SOIC封装。该控制器是理想用于图形卡的图形应用中都处理单元（GPU）和内存用品是必需的。标准降压转换器是一个简单的，单一的反馈回路，电压模式控制具有快速瞬态响应。两个开关稳压器和线性稳压器提供最大为±2以上，负载％的静态稳压精度，和温度范围。每个输出用户可调是指外部电阻器。一个集成的软启动功能将带来两个电源调节控制的方式。每
2013-2-19
ISL6532-ACPI的稳压器/控制器的双通道DDR内存系统
该ISL6532提供了一个完整的ACPI标准的电源解决长达4个DIMM双通道DDR/DDR2内存系统。包括既是一个同步降压控制器并集成LDO提供VDDQ的高电流时S0/S1状态和待机电流在S3状态。在运行模式，一个完全集成的源库调节器生成一个准确的（为VDDQ/2）高VTT电压无电流需要一个负电源。作者为VDDQ/2缓冲版本提供参考作VREF。该开关PWM控制器驱动两个N沟道在MOSFET的同步整流降压转换器拓扑。同步降压转换器采用voltagemode控制具有快速瞬态响应。这两个开关集成的LDO稳压器和待命提供最大±2％的静态稳压精度在线路，负载和温度范
2013-2-18
ISL6524CBZA-VRM8.5 PWM和三线性电源系统控制器
该ISL6524提供了电源控制和保护四在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了一个PWM控制器和三线性控制器，以及到28引脚SOIC监测和保护功能包。PWM控制器调节微处理器核心电压，具有同步整流降压转换器。一个线性控制器提供计算机系统的AGTL+总线电源为1.2V。另外两个线性调节控制器电源为1.5V的AGP总线的芯片和1.8V电源设置核心电压和/或高速缓存存储器电路。该ISL6524包括英特尔VRM8.5兼容，TTL电5输入数字至模拟转换器（DAC）的调整微处理器的核心定位的PWM输出电压1.050V至1.825V以25mV步骤。精密的参考和电
2013-2-18
ISL6504-多与ACPI控制接口线性电源控制器
ISL6504和ISL6504A的补充其他权力积木（稳压器）在ACPI兼容设计的微处理器和计算机应用。该IC集成了三个线性控制器/稳压器，开关，到了16针宽体监测和控制功能SOIC或20引脚QFN6×6包。该ISL6504，ISL6504A操作模式（主动输出或睡眠输出）是可选择通过两个数字控制引脚，S3和S5。一个线性控制器产生3.3VDUAL/3.3VSB电压飞机从ATX电源的5VSB输出，供电南桥，并通过一个外部NPN的PCI插槽通过在睡眠状态晶体管（S3，S4/S5）。在主动状态（在S0和S1/S2），线性的3.3VDUAL/3.3VSB稳压器使用一个外部N沟道MOSFET以输出直
2013-1-25
ISL6530-双5V同步降压脉宽调制（PWM）控制器为DDRAM的内存VDDQ和VTT终端
ISL6530提供了完整的控制和保护双DC-DC转换器的高性能优化DDRAM的内存应用。它设计用于驱动低成本的N沟道MOSFET同步整流降压拓扑结构，有效地产生VDDQ的2.5V供电DDRAM的内存，DDRAM的差分信号VREF，VTT的信号终止。ISL6530集成了所有的控制，输出调节，监控和保护功能集成到单个封装。VDDQ输出转换器的是保持在2.5V通过一个集成的高精度电压参考。在VREF输出精确调节到1/2内存供电供应，具有随温度的±1％最大公差和线电压变化。VTT的准确跟踪VREF的。在V2_SD睡眠模式期间，VTT输出保持一个低功率窗口调节器。ISL6530提供了简单的单反
2012-11-30

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