ISL6530-双5V同步降压脉宽调制（PWM）控制器为DDRAM的内存VDDQ和VTT终端

ISL6530提供了完整的控制和保护双DC- DC转换器的高性能优化DDRAM的内存应用。它设计用于驱动低成本的N沟道MOSFET同步整流降压拓扑结构，有效地产生VDDQ的2.5V供电DDRAM的内存，DDRAM的差分信号VREF，VTT的信号终止。 ISL6530集成了所有的控制，输出调节，监控和保护功能集成到单个封装。VDDQ输出转换器的是保持在2.5V通过一个集成的高精度电压参考。在VREF输出精确调节到1 / 2内存供电供应，具有随温度的±1％最大公差和线电压变化。 VTT的准确跟踪VREF的。在V2_SD睡眠模式期间，VTT输出保持一个低功率窗口调节器。ISL6530提供了简单的单反馈环路，voltagemode控制与快速的瞬态响应。它包括两个锁相300kHz的三角波振荡器是流离失所的90度，以尽量减少两者之间的干扰PWM稳压器。稳压器的误差放大器一个15MHz的增益带宽积和6V/μs摆率可实现快速瞬态高转换带宽性能。由此产生的PWM占空比的范围从0％到100％。ISL6530保护，以防过流条件抑制PWM操作。当前ISL6530显示器VDDQ的稳压器在使用RDS（ON）的上层MOSFET消除需要一个电流感应电阻。