该ISL6532提供了一个完整的ACPI标准的电源解决长达4个DIMM双通道DDR/DDR2内存系统。包括既是一个同步降压控制器并集成LDO提供VDDQ的高电流时S0/S1状态和待机电流在S3状态。在运行模式，一个完全集成的源库调节器生成一个准确的（为VDDQ / 2）高VTT电压无电流需要一个负电源。作者为VDDQ / 2缓冲版本提供参考作VREF。该开关PWM控制器驱动两个N沟道在MOSFET的同步整流降压转换器拓扑。同步降压转换器采用voltagemode控制具有快速瞬态响应。这两个开关集成的LDO稳压器和待命提供最大± 2％的静态稳压精度在线路，负载和温度范围。输出是用户可调的手段外部电阻低至0.8V。之间切换输出的PWM内存核心在状态转换稳压器和LDO的是待机顺利完成，通过内部控制的ACPI电路。 N沟道信号提供同步开关一backfeed无阻塞交换的转换过程中消除该路线5V双电源的需求的内存。一个集成的软启动功能在带入调控提供VDDQ控制的方式返回S0/S1状态时，从S4/S5或机械关闭状态。在S0的的的PGOOD信号表明，所有物资都在规范和运作。每个输出监视下和过电压事件。电流限制包括在VTT和VDDQ的待机稳压器。集成热关断。
ISL6532-ACPI的稳压器/控制器的双通道DDR内存系统
时间：2013-2-18 15:26:00
该ISL6532提供了一个完整的ACPI标准的电源解决长达4个DIMM双通道DDR/DDR2内存系统。包括既是一个同步降压控制器并集成LDO提供VDDQ的高电流时S0/S1状态和待机电流在S3状态。在运行模式，一个完全集成的源库调节器生成一个准确的（为VDDQ / 2）高VTT电压无电流需要一个负电源。作者为VDDQ / 2缓冲版本提供参考作VREF。该开关PWM控制器驱动两个N沟道在MOSFET
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2025-9-27 20:00:00
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