IRLHS6376 MOSFET 场效应管 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

时间:2022-4-22 10:16:00

原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 3.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 2.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: StrongIRFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon / IR

配置: Dual

高度: 0.9 mm

长度: 2 mm

产品类型: MOSFET

系列: Dual N-Channel

4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 2 mm

零件号别名: IRLHS6376TRPBF SP001573000

单位重量: 60.142 mg