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位置：首页 > IC中文资料第377页 > IRL520

IRL520价格

参考价格：￥9.6050

型号：IRL520 品牌：Vishay 备注：这里有IRL520多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRL520批发/采购报价，IRL520行情走势销售排行榜，IRL520报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL520

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Logic-Level Gate Drive • RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Ease of Paralleling • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520

Power MOSFET

文件：1.16464 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520

HEXFET POWER MOSFET

文件：183.34 Kbytes Page：6 Pages

IRF

IRL520

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520

HEXFET POWER MOSFET

Infineon

英飞凌

IRL520_V01

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520A

Advenced Power MOSFET

BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.22Ω ID = 9.2 A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V ♦ Lower RDS(ON): 0.176Ω (Typ.)

Fairchild

仙童半导体

IRL520L

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520L_V01

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520PBF

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Logic-Level Gate Drive • RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Ease of Paralleling • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520/SiHL520

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520_17

Power MOSFET

文件：1.16464 Mbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.43 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL520L

Repetitive Avalanche Rated

文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520N

HEXFET Power MOSFET

文件：134.24 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRL520N

HEXFET Power MOSFET

文件：36.1 Kbytes Page：2 Pages

IRF

IRL520N

N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.2 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL520NL

Logic-Level Gate Drive

文件：197.67 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL520NL

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.89 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL520NLPBF

Logic-Level Gate Drive

文件：398.37 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRL520NPBF

Logic-level Gate Drive

文件：313.84 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRL520NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：313.84 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRL520NPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：972.8 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRL520NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：313.84 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRL520NS

Logic-Level Gate Drive

文件：197.67 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL520NS

HEXFET Power MOSFET

文件：180.79 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRL520NS

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：188.6 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL520NSL

HEXFET Power MOSFET

文件：180.79 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRL520NSPBF

Logic-Level Gate Drive

文件：398.37 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRL520NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL520NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL520NSTRLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：407.51 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL520S

Power MOSFET

文件：924.93 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

520

Pentium 4 Processors Supporting Hyper-Threading Technology

Introduction The Intel® Pentium® 4 processor on 90 nm process in the 775-land package is a follow on to the Pentium 4 processor in the 478-pin package with enhancements to the Intel NetBurst® microarchitecture. The Pentium 4 processor on 90 nm process in the 775-land package uses FlipChip Land Gr

Intel

英特尔

520

ROUND INSTRUMENTATION HANDLES

[KEYSTONE] ROUND INSTRUMENTATION HANDLES FERRULES HANDLE MOUNTING SCREWS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

520

횠6.1mm mounting Robust stainless steel housing

文件：423.92 Kbytes Page：5 Pages

MARL

520

Sandblast Stencil

文件：15.06 Kbytes Page：2 Pages

3M

520

MINIATURE FUSEHOLDERS

文件：89.37 Kbytes Page：1 Pages

Littelfuse

力特

IRL520产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL520

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRL520供应商更多...

更新时间：2025-12-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRL520
IR
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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IRL520NLPBF
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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IRL520
Vishay
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天津市博通航睿技术有限公司
IRL520
IR
23+
TO-220
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IRL520N
INFINEON/英飞凌
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