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位置：首页 > IC中文资料第377页 > IRL520L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL520L

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520L

Power MOSFET

Dynamic dV/dt rating\nRepetitive avalanche rated\nLogic-level gate drive;

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520L

Repetitive Avalanche Rated

文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520L_V01

Power MOSFET

FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRL520L/SiHL520L

Power MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SD520YS

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)

VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge ca

PANJIT

強茂

CLC520

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

文件：609.73 Kbytes Page：8 Pages

NSC

国半

CLC520AJE

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

文件：609.73 Kbytes Page：8 Pages

NSC

国半

CLC520AJP

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

文件：609.73 Kbytes Page：8 Pages

NSC

国半

CLC520AMC

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

文件：609.73 Kbytes Page：8 Pages

NSC

国半

IRL520L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL520L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL520L供应商更多...

更新时间：2026-5-21 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市博中泰实业有限公司
IRL520LPBFMOS
IR
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全新原装现货
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深圳市安富世纪电子有限公司
IRL520LPBFMOS(场效应管)
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
IRL520LPBF
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