型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL3103SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr

IRF

IRL3103SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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KR

IRL3103SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3103SPBF

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-25 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
SOT263
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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1983
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5330
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
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