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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRHE9130 | Rad hard MOSFETs \n优势:; | INFINEON 英飞凌 |   | |
IRHE9130 | Simple Drive Requirements 文件：176.89 Kbytes Page：8 Pages | IRF | | |
IRHE9130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) 文件：123.23 Kbytes Page：8 Pages | IRF | | |
Simple Drive Requirements 文件：176.89 Kbytes Page：8 Pages | IRF | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | SAMSUNG 三星 | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | SAMSUNG 三星 | | ||
TC9130P 4CH INDEPENDENT CYCLIC TYPE TOUCH SWITCH
| TOSHIBA 东芝 | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：20.72 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：16.9 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | |
IRHE9130产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRHE9130
- 制造商
International Rectifier
- 功能描述
HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Murata |
25+ |
N/A |
6895 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
Murata |
25+ |
N/A |
59948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
N/A |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||||
RARA |
23+ |
NEW |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
26+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IOS |
25+ |
RELAY |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
23+ |
QPL |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO-3 |
10000 |
||||
IR |
23+ |
QPL |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
IRHE9130规格书下载地址
IRHE9130参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
- kt250
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- ks20
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2019-5-8
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