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IRGP50B60PD价格

参考价格：￥27.1946

型号：IRGP50B60PD1-EP 品牌：Internation.Rectifer 备注：这里有IRGP50B60PD多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGP50B60PD批发/采购报价，IRGP50B60PD行情走势销售排行榜，IRGP50B60PD报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGP50B60PD

SMPS IGBT

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Higher Reliability

IRF

IRGP50B60PD

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

600V Warp2 IGBT 与超快 150kHz 软恢复二极管联合封装到TO-247AC 封装中。 • NPT 技术，正温度系数\n• VCE(SAT)更低\n• 寄生电容更低\n• 最小尾电流\n• HEXFRED 超快软恢复联合封装二极管\n• 参数分布更紧凑\n• 可靠性更高\n\n优势:\n• 适用于更高电流应用中的并联工作\n• 通态损耗和开关损耗更低\n• 开关频率更高，高达 150kHz;

INFINEON

英飞凌

IRGP50B60PD1

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

600V Warp2 IGBT 与超快开关频率高达 150 kHz 的软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • NPT 技术，正温度系数\n• VCE(SAT)更低\n• 寄生电容更低\n• 最小尾电流\n• HEXFRED 超快软恢复联合封装二极管\n• 参数分布更紧凑\n• 可靠性更高\n• 无铅\n\n优势:\n• 适用于更高电流应用中的并联工作\n• 通态损耗和开关损耗更低\n• 开关频率更高，高达 150 kHz;

INFINEON

英飞凌

IRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION · Lower VCE(SAT) · Tighter Distribution of Parameters · Higher Reliability APPLICATIONS · Telecom and Server SMPS · PFC and ZVS SMPS Circuits · Uninterruptable Power Supplies

ISC

无锡固电

IRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameter

IRF

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

IRF

IRGP50B60PDPBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

IRF

IRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：476.9 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRGP50B60PD1_06

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：476.9 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRGP50B60PD1-E

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AD package

INFINEON

英飞凌

IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：427.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：427.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1PBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：395.76 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRGP50B60PD1PBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRGP50B60PDPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 75A 370W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRGP50B60PDPBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRGP50B60PDPBF_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages

IRF

GP50B60PD

SMPS IGBT

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Higher Reliability

IRF

QCA50B60

TRANSISTOR MODULE

QCA50B and QCB50A are dual Darlington power transistor modules which have series-connected high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a reverse paralleled fast recovery diode. ● IC 50A, VCEX 400/600V ● Low saturation voltage for higher efficiency. ● Isolated mounting bas

SANREX

三社

IRGP50B60PD产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max：

    30.0kHz 150.0kHz

  • Package ：

    TO-247

  • Voltage Class max：

    600.0V

  • IC(@100°) max：

    42.0A

  • IC(@25°) max：

    75.0A

  • ICpuls max：

    150.0A

  • Ptot max：

    370.0W

  • VCE(sat) ：

    2.0V 

  • Eon ：

    0.61mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    0.46mJ 

  • td(on) ：

    34.0ns 

  • tr ：

    26.0ns 

  • td(off) ：

    130.0ns 

  • tf ：

    43.0ns 

  • QGate ：

    240.0nC 

  • IF max：

    150.0A

  • VF ：

    1.5V 

  • Qrr ：

    112.0nC 

  • Irrm ：

    4.5A 

  • Ets  (max)：

    0.74mJ (0.96mJ)

  • VCE max：

    600.0V

IRGP50B60PD供应商更多...

更新时间：2026-5-18 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛尔通科技有限公司
IRGP50B60PD1PBF
IR
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IRGP50B60PD1
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深圳市卓越微芯电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
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深圳市能创芯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRGP50B60PD1
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