IRGP50B60PD1-E价格

参考价格:¥27.1946

型号:IRGP50B60PD1-EP 品牌:Internation.Rectifer 备注:这里有IRGP50B60PD1-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGP50B60PD1-E批发/采购报价,IRGP50B60PD1-E行情走势销售排行榜,IRGP50B60PD1-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

IRF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Ultrafast tail current shutoff ·Automotive Chargers ·High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

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Infineon

英飞凌

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

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Infineon

英飞凌

IRGP50B60PD1-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP50B60PD1-E

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-247
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
TO-247AD
1423+
934
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
0823+
TO
15445
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家
IR
17+
NA
9998
全新原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
8000
专注配单,只做原装进口现货
VISHAY
24+
TO-247
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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TO-247AD
31877
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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TO-247
6200
100%原装正品现货
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25+
TO247
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
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23+
TO247
5000
原装正品,假一罚十

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