IRGP50B60PD1-E价格

参考价格:¥27.1946

型号:IRGP50B60PD1-EP 品牌:Internation.Rectifer 备注:这里有IRGP50B60PD1-E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGP50B60PD1-E批发/采购报价,IRGP50B60PD1-E行情走势销售排行榜,IRGP50B60PD1-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61mΩ ID(FETequivalent)=50A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •H

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International Rectifier

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封装/外壳:TO-3P-3 整包 包装:管件 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

IRGP50B60PD1-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP50B60PD1-E

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-10-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2020+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
TO-247AD
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-247
6200
100%原装正品现货
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23+
TO247
5000
原装正品,假一罚十
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1716+
TO-247
8500
只做原装进口,假一罚十
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

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