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IRGP50B60PDPBF价格
参考价格：￥20.7296
型号：IRGP50B60PDPBF 品牌：International 备注：这里有IRGP50B60PDPBF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGP50B60PDPBF批发/采购报价，IRGP50B60PDPBF行情走势销售排行榜，IRGP50B60PDPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRGP50B60PDPBF | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H | IRF |   | |
IRGP50B60PDPBF | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
IRGP50B60PDPBF | 封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 75A 370W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | INFINEON 英飞凌 | | |
WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
SMPS IGBT WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Higher Reliability | IRF | | ||
SMPS IGBT WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Higher Reliability | IRF | | ||
TRANSISTOR MODULE QCA50B and QCB50A are dual Darlington power transistor modules which have series-connected high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a reverse paralleled fast recovery diode. ● IC 50A, VCEX 400/600V ● Low saturation voltage for higher efficiency. ● Isolated mounting bas | SANREX 三社 | |
IRGP50B60PDPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGP50B60PDPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-247 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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IRGP50B60PDPBF规格书下载地址
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2019-5-8
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