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包装:管件 描述:IGBT 600V TO247 COPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

包装:管件 描述:IGBT 600V TO247 COPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 40V, 6.1A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V. ■ -40V, -5.2A, RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability

CET

华瑞

CLEAR THRU-HOLE SPACER

文件:238.25 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Nytye®Mounting Platforms

文件:231.87 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

AEC-Q100 Qualifies

文件:922.16 Kbytes Page:28 Pages

ROHM

罗姆

AEC-Q100 Qualifies

文件:922.16 Kbytes Page:28 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2025-8-13 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon Technologies
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原厂渠道,现货配单

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