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IRGP4269D-EPBF	包装：管件描述：IGBT 600V TO247 COPAK 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
CEM4269	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM4269	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-5.2A,RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
4269	CLEARTHRU-HOLESPACER 文件：238.25 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
BD4269EFJ-C	AEC-Q100Qualifies 文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD4269FJ-C	AEC-Q100Qualifies 文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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更新时间：2024-6-5 17:26:00

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IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录IGBT管集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
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2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
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2019-10-11
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8