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IRGP4269DPBF

包装:管件 描述:IGBT 600V TO247 COPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 40V, 6.1A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V. ■ -40V, -5.2A, RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability

CET

华瑞

CLEAR THRU-HOLE SPACER

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Nytye®Mounting Platforms

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HeycoHeyco.

海科

AEC-Q100 Qualifies

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ROHM

罗姆

AEC-Q100 Qualifies

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-8-15 14:08:00
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IR
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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