IRGP4068D-E价格

参考价格:¥31.1238

型号:IRGP4068D-EPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGP4068D-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGP4068D-E批发/采购报价,IRGP4068D-E行情走势销售排行榜,IRGP4068D-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

VCES = 600V IC = 48A, TC = 100°C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C VCE(on) typ. = 1.65V Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM

IRF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

Infineon

英飞凌

4-ch Relay Output Module

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ADVANTECH

研华科技

4-ch Relay Output Module

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ADVANTECH

研华科技

ST7580 power line communication system-on-chip design guide

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

SAW Components Low-Loss Filter for Mobile Communication 904,5 / 925,5 MHz

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EPCOS

爱普科斯

CMOS 8-INPUT NAND AND GATE

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TI

德州仪器

IRGP4068D-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP4068D-E

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
556
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
15+
TO-247
750
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
23+
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2623
原厂原装正品
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VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售

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