IRGIB7B60KDPBF价格

参考价格:¥7.2015

型号:IRGIB7B60KDPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGIB7B60KDPBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGIB7B60KDPBF批发/采购报价,IRGIB7B60KDPBF行情走势销售排行榜,IRGIB7B60KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform

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IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGIB7B60KDPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 12A 39W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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IRGIB7B60KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB7B60KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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