IRGIB7B60KDPBF价格

参考价格:¥7.2015

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGIB7B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform

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International Rectifier

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IRGIB7B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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International Rectifier

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IRGIB7B60KDPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 12A 39W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low

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IRGIB7B60KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB7B60KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-9 16:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220F
43200
郑重承诺只做原装进口现货
Infineon Technologies
22+
TO220AB FullPak
9000
原厂渠道,现货配单
IR
24+
NA
68932
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
2023+
TO-220F
2079
原厂全新正品旗舰店优势现货
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TO-220F
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
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7750
全新原装优势
Infineon(英飞凌)
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NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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23+
TO-247
18689
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22+
TO-220
18000
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十

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