IRGIB7B60KDPBF价格

参考价格:¥7.2015

型号:IRGIB7B60KDPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGIB7B60KDPBF多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGIB7B60KDPBF批发/采购报价,IRGIB7B60KDPBF行情走势销售排行榜,IRGIB7B60KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform

IRF

IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGIB7B60KDPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 12A 39W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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IRGIB7B60KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB7B60KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220F
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
IR
24+
TO-220F
43200
郑重承诺只做原装进口现货
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
NEW
TO-247
18689
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
24+
TO-220-3
30
Infineon Technologies
22+
TO220AB FullPak
9000
原厂渠道,现货配单
IR
21+
TO-220F
10000
原装现货假一罚十
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应

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