位置：IRGIB7B60KDPBF > IRGIB7B60KDPBF详情
IRGIB7B60KDPBF中文资料
IRGIB7B60KDPBF数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGIB7B60KDPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGIB7B60KDPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
INFINEON |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
24+ |
TO-220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
IR |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB FullPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO220AB FullPak |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO220FP |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IR |
06+ |
TO-220F |
2079 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
IRGIB7B60KDPBF 价格
参考价格：￥7.2015
IRGIB7B60KDPBF 资料下载更多...
IRGIB7B60KDPBF 芯片相关型号
- 84B1A-B16-K10L
- AL-314B2C
- BRM32F5
- C1210C220GCGAC
- C1812F332M3RAC
- C410C829M5G5TA
- C430C689M5G5TA
- CDR31BP1R8B3W4
- CE32C5
- CPOAC3BEP
- CPOBP5BEP
- CWR11DC105JBA
- FMX-532ED20C3
- FMX-635AE20C3
- FMX-635BD20C3
- FMX-635BE20C3
- H4B32F
- H4G32F
- LACC-1128-R22J-B
- LACC-1128-R33J-B
- LACC-1128-R39J-B
- NRWX102M16V16X31.5F
- NRWX332M16V16X31.5F
- T491S104M035AH
- T493A227J006CB6110
- T494U105M035AH
- T495X107K010AHSE100
- T496D685M025AT
- T510X477K006ATE030
- T520Y477M003ATE015
IRF相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
