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IRGIB6B60KD116P

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGIB6B60KD116P

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 11A 38W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IRGIB6B60KD116P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB6B60KD116P

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-4 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO-TO-220FP
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全新原装真实库存含13点增值税票!
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TO-220FULLPAK
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全新原装优势

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