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IRGIB6B60KD116P中文资料
IRGIB6B60KD116P数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGIB6B60KD116P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGIB6B60KD116P
- 功能描述
IGBT 晶体管
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
225 |
||||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220FULLPAK |
7750 |
全新原装优势 |
|||
IR |
2016+ |
TO-220F |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO220 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
1923+ |
TO220 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
|||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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International Rectifier
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International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
