IRGB5B120KDPBF价格

参考价格:¥20.0104

型号:IRGB5B120KDPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGB5B120KDPBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGB5B120KDPBF批发/采购报价,IRGB5B120KDPBF行情走势销售排行榜,IRGB5B120KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGB5B120KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for M

IRF

IRGB5B120KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGB5B120KDPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 12A 89W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control.

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IRGB5B120KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB5B120KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 10-30kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-10 11:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
1923+
TO2
5000
正品原装品质假一赔十
IR
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
24+
TO-220-3
1062
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IR
24+
65230
IR
24+
NA
68932
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
IR
21+
TO-220
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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23+
TO-220
7000

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