IRGB5B120KDPBF价格

参考价格:¥20.0104

型号:IRGB5B120KDPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGB5B120KDPBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGB5B120KDPBF批发/采购报价,IRGB5B120KDPBF行情走势销售排行榜,IRGB5B120KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGB5B120KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for M

IRF

IRGB5B120KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGB5B120KDPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 12A 89W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control.

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IRGB5B120KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB5B120KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 10-30kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
15770
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
24+
TO-220-3
1062
IR
17+
TO2
6200
100%原装正品现货
IR
23+
TO-220
7000
IR
1923+
TO2
5000
正品原装品质假一赔十
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IR
1202+
TO220
12520
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-TO-220
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货

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