IRG4PH50KPBF价格

参考价格:¥17.2194

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PH50KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneratio

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IRG4PH50KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4PH50KPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A)

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ●Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V ●Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ●Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficien

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ●Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A)

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)

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IRG4PH50KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH50KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 8:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IOR
12+
TO247
150
全新原装 实单必成
IR
21+
65230
ir
22+
500000
行业低价,代理渠道
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
ADI
2022+
SOP
6000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
IOR
12+
TO247
50
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
IR(国际整流器)
23+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
IOR
12+
TO247
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon
1931+
N/A
493
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