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IRG4PC40UD-EPB价格
参考价格：￥21.3201
型号：IRG4PC40UD-EPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4PC40UD-EPB多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC40UD-EPB批发/采购报价，IRG4PC40UD-EPB行情走势销售排行榜，IRG4PC40UD-EPB报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies( | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 40A 160W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
InsulatedGateBipolarTransistor 文件：395.49 Kbytes Page：10 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
InsulatedGateBipolarTransistor 文件：1.2552 Mbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4PC40UD-EPB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4PC40UD-EPB
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
58600 |
一级代理放心采购 |
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IR |
22+ |
TO-247 |
86910 |
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优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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IRG4PC40UD-EPB参数引脚图相关
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属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
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