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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(VCES=1200V,VCE(on)typ.=3.17V,@VGE=15V.Ic=5.0A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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英飞凌英飞凌科技公司

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TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更新时间:2024-6-5 17:54:01
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