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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(VCES=1200V,VCE(on)typ.=3.17V,@VGE=15V.Ic=5.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
TrenchField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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INFINEON-英飞凌 |
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IRG4BH20K-L(S)芯片相关品牌
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属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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