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位置：首页 > IC中文资料第894页 > IRG4BC30W

IRG4BC30W价格

参考价格：￥6.4681

型号：IRG4BC30WPBF 品牌：IR 备注：这里有IRG4BC30W多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30W批发/采购报价，IRG4BC30W行情走势销售排行榜，IRG4BC30W报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features •Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications •Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies •50 reduction of Eoff parameter •Low IGBT conduction losses •Latest-generation IGBT design

IRF

IRG4BC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50% reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design

Infineon

英飞凌

IRG4BC30W

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 23A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30W

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC30W-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC30W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC30W_04

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC30W-S

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30W-S

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30W-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4BC30W-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages

IRF

AUIRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30U-S

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

AUIRG4BC30U-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages

IRF

AUIRG4BC30S-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRG4BC30W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30W

  • 功能描述

    IGBT WARP 600V 23A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC30W供应商更多...

更新时间：2025-11-21 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市亿智腾科技有限公司
IRG4BC30WPBF
原厂原包
24+
原装
38560
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同
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深圳市科达星科技有限公司
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IR
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市鹏和科技有限公司
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