IRG4BC30W-S价格

参考价格:¥6.5926

型号:IRG4BC30W-SPBF 品牌:IR 备注:这里有IRG4BC30W-S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC30W-S批发/采购报价,IRG4BC30W-S行情走势销售排行榜,IRG4BC30W-S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30W-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT de

IRF

IRG4BC30W-S

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30W-S

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT,采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BC30W-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30W-S

  • 功能描述

    IGBT WARP 600V 23A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
541
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR/VISHAY
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
24+/25+
2400
原装正品现货库存价优
IR
08+
TO-263
541
IR
24+
TO-263
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IR
SOT-263
6291
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
25+
TO-263
860000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
NEW
TO-263
35890
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
IR
25+23+
TO-263
41807
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
25+
TO-263
30000
代理全新原装现货,价格优势

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