IRG4BC30KPBF价格

参考价格:¥8.0042

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

IRF

IRG4BC30KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

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IRF

IRG4BC30KPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 28A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BC30KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 15:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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封装
500000
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