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IRG4BC30KPBF中文资料

厂家型号

IRG4BC30KPBF

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263.29Kbytes

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9

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC30KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2024+
N/A
70000
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9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

IRG4BC30KPBF 价格

参考价格:¥8.0042

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