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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4BC30KD-STRR | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ul | IRF |   | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC | IRF | | ||
IGBT DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC | ISC 无锡固电 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages | IRF | |
IRG4BC30KD-STRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC30KD-STRR
- 功能描述
IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
9650 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
11+ |
TO-263 |
800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
6400 |
只做原装假一赔十 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-263 |
6400 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
IRG4BC30KD-STRR芯片相关品牌
IRG4BC30KD-STRR规格书下载地址
IRG4BC30KD-STRR参数引脚图相关
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- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
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- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
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- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRH7130
- IRH7054
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- IRH4230
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- IRH4054
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- IRGBC30
- IRGBC20
- IRGB430
- IRGB420
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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