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IRG4BC30KD-STRR中文资料

厂家型号

IRG4BC30KD-STRR

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225.23Kbytes

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

数据手册

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简称

IRF

生产厂商

International Rectifier

中文名称

官网

LOGO

IRG4BC30KD-STRR数据手册规格书PDF详情

Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products

• For hints see design tip 97003

IRG4BC30KD-STRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KD-STRR

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-6-18 13:54:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
Infineon Technologies
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D2PAK
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原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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22+
D2PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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23+
原装
8000
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Infineon Technologies
23+
原装
7000
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25+
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2023+
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International Rectifier

中文资料: 32110条

International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在