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IRG4BC30KD-STRR中文资料

厂家型号

IRG4BC30KD-STRR

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10

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC30KD-STRR数据手册规格书PDF详情

Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristic reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2-S and IRGBC30MD2-S products

• For hints see design tip 97003

IRG4BC30KD-STRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KD-STRR

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-5 8:02:00
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