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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4BC10SD-S | INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRG4BC10SD-S | INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) 文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
ShortCircuitRatedUltraFastIGBT ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol 文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4BC10SD-S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC10SD-S
- 功能描述
DIODE IGBT 600V 14A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原装现货库存 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
23+ |
D2-Pak |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
23+ |
N/A |
30050 |
正品授权货源可靠 |
||||
IR |
21+ROHS |
D2-Pak |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
08+(pbfree) |
D2-Pak |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
IRG4BC10SD-S芯片相关品牌
IRG4BC10SD-S规格书下载地址
IRG4BC10SD-S参数引脚图相关
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- j111
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- IRH7130
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- IRH60
- IRH4230
- IRH4150
- IRH4054
- IRH3230
- IRH3150
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属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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