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IRG4BC10SD-S中文资料

厂家型号

IRG4BC10SD-S

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12

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

DIODE IGBT 600V 14A D2PAK

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC10SD-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC10SD-S

  • 功能描述

    DIODE IGBT 600V 14A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-8 14:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
D2-Pak
8866
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
25+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
22+
D2-Pak
6000
十年配单,只做原装
IR
23+
D2-Pak
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
23+
D2-Pak
6000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
2023+
D2-PAK
50000
原装现货