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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ44VZLPBF | HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A ) Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features com | IRF |   |
更新时间：2026-1-28 22:58:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-220 |
14580 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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IR |
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
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TO-220-3 |
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原装正品 支持实单 |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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IR原装 |
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IR |
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原装正品支持实单 |
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IR |
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TO-220-3 |
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Infineon Technologies |
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9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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