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IRFR/U3303 | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | KERSEMI |   | |
IRFR/U3303 | Ultra Low On-Resistance 文件：6.23075 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI | | |
HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | KERSEMI | | ||
Nylon Cable Clamps 文件：84.39 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Trimmer 文件：124.57 Kbytes Page：2 Pages | Bourns 伯恩斯 | | ||
Heyco짰 Nylon Cable Clamps 文件：100.33 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
60 - 200 WATTS LINEAR 文件：91.04 Kbytes Page：1 Pages | POWERBOX | | ||
Floor socket: 3303E 文件：272.42 Kbytes Page：1 Pages | BURLAND | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
NEW |
TO-251/TO-25 |
9896 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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IR |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
22+ |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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IR |
23+ |
7000 |
IRFR/U3303规格书下载地址
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IRFR15N20DTRPBF
表面贴装型 N 通道 200 V 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
2022-10-19IRFP4668PBF 全新原装现货
IRFP4668PBF
2022-6-27IRFR13N20DTRPBF
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12IRFP460PBF
IRFP460PBF
2021-5-20IRFP460PBF 原装正品 现货供应
IRFP460PBF 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116
2021-3-12
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