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IRFPC50A_V01

Power MOSFET

FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

50A AUTOMOTIVE BUTTON DIODE

Diffused Junction Low Leakage Low Cost High Surge Current Capability Low Cost Construction Utilizing Void-Free Molded Plastic Technique

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星电子股份有限公司

High Current Automobile Rectifier

文件:377.83 Kbytes Page:3 Pages

HY

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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