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IRFPC50A_V01

Power MOSFET

FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

50A AUTOMOTIVE BUTTON DIODE

Diffused Junction Low Leakage Low Cost High Surge Current Capability Low Cost Construction Utilizing Void-Free Molded Plastic Technique

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虹扬科技

更新时间:2026-1-28 15:44:00
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