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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)

SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

SMPS MOSFET

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KERSEMI

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

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N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

更新时间:2026-1-1 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
6875
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR/VISHAY
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
159987
明嘉莱只做原装正品现货
IR
25+
TO-252
22000
原装现货假一罚十
IR
21+
TO-252
6880
只做原装,质量保证
IR
25+
TO-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
IR
24+
TO-252
20000
只做原装假一赔十
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
9203
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IR
25+
模块
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
IR
23+
TO-252
5000
原装正品,假一罚十

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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