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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)

SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

SMPS MOSFET

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KERSEMI

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

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N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

更新时间:2026-1-2 13:01:01
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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