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IRFP9120

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-8-14 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/VIS
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
SAMSUNG
2023+
原厂封装
50000
原装现货
IR
23+
TO-247
38000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
2025+
TO-247
4675
全新原厂原装产品、公司现货销售
IR
23+
TO-247
7000
IR
23+
TO-247
8000
只做原装现货
IR/VIS
22+
TO-247
6000
十年配单,只做原装
IR/VIS
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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