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位置：首页 > IC中文资料第1071页 > IRFL210

IRFL210价格

参考价格：￥1.5281

型号：IRFL210PBF 品牌：VISHAY 备注：这里有IRFL210多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFL210批发/采购报价，IRFL210行情走势销售排行榜，IRFL210报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFL210

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A)

VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A

IRF

IRFL210

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210

Power MOSFET

FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210

HEXFET power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFL210

Surface Mount

文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages

KERSEMI

IRFL210_V01

Power MOSFET

FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A Lead-Free

IRF

IRFL210TR

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210TRPBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210TRPBF-TP

N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

TECHPUBLIC

台舟电子

IRFL210/SiHFL210

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210TRPBF

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件：1.81988 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFL210TRPBFA

Power MOSFET

文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFL210TRPBF-BE3AB

Power MOSFET

文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

210

Premier Supplier of Electronic Hardware

文件：5.0379 Mbytes Page：60 Pages

ABBATRON

210

AUTO-DIP짰 Switch Automatically Insertable, Wave Solderable, Board Washable DIP Switch

文件：602.94 Kbytes Page：2 Pages

CTS

西迪斯

210

Thru-Bolts and Mounting Brackets

文件：286.71 Kbytes Page：3 Pages

OHMITE

210

M8 Female 3 Pin Field Attachable

文件：178.33 Kbytes Page：2 Pages

ALPHAWIRE

210

Direct replacement for T3 쩌 Midget Edison Screw E10

文件：290.6 Kbytes Page：5 Pages

MARL

IRFL210产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFL210

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFL210供应商更多...

更新时间：2025-11-20 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
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