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位置：首页 > IC中文资料第1358页 > MJD210

MJD210价格

参考价格：￥1.0028

型号：MJD210G 品牌：ON 备注：这里有MJD210多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD210批发/采购报价，MJD210行情走势销售排行榜，MJD210报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD210

D-PAK for Surface Mount Applications

D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Low Collector Emitter Saturation Voltage • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MJD210

Complementary Plastic Power Transistors

Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc • High DC Current Gain − hFE

ONSEMI

安森美半导体

MJD210

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

■ DESCRIPTION The UTC MJD210 is designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. ■ FEATURE * Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(SUS) =-25V (Min) @ IC =-10mA * High DC Current Gain hFE =70 (Min) @ IC=-500mA =45 (Min) @ IC=-2A =10 (Min) @

UTC

友顺

MJD210

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

Motorola

摩托罗拉

MJD210

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 70(Min) @ IC= -0.5A • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat) = -0.3V(Max.)@ IC= -0.5 A • Complement to the NPN MJD200 • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for low

ISC

无锡固电

MJD210

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -25V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A APPLICATIONS · Designed for use in general purpose amplifer and low Speed switching applications

ISC

无锡固电

MJD210

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD210

Bipolar Transistor

UTC

友顺

MJD210

5.0 A, 25 V PNP Bipolar Power Transistor

ONSEMI

安森美半导体

MJD210

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210-1

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

Motorola

摩托罗拉

MJD210-I

D-PAK for Surface Mount Applications

D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Low Collector Emitter Saturation Voltage • Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MJD210T4

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

Motorola

摩托罗拉

MJD210_10

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210_15

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210G-TM3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G-TM3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G-TN3-R

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G-TN3-R

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G-TN3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210G-TN3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TM3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TM3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TN3-R

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TN3-R

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TN3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210L-TN3-T

PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS

文件：209.37 Kbytes Page：5 Pages

UTC

友顺

MJD210R

功率三极管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD210RL

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS PNP 25V 5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD210RL

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210RLG

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210T4

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210T4

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD210T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

210

AUTO-DIP짰 Switch Automatically Insertable, Wave Solderable, Board Washable DIP Switch

文件：602.94 Kbytes Page：2 Pages

CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

210

Direct replacement for T3 쩌 Midget Edison Screw E10

文件：290.6 Kbytes Page：5 Pages

MARL

Marl International Ltd

210

Thru-Bolts and Mounting Brackets

文件：286.71 Kbytes Page：3 Pages

OHMITE

210

M8 Female 3 Pin Field Attachable

文件：178.33 Kbytes Page：2 Pages

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

210

Premier Supplier of Electronic Hardware

文件：5.0379 Mbytes Page：60 Pages

ABBATRON

MJD210产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD210

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD210供应商更多...

更新时间：2025-9-22 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市弘为电子有限公司
MJD210
MOTOROLA
24+
7860
原装现货假一罚十
询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司
MJD210G
ON(安森美)
2024+
TO-252
10145
诚信服务,绝对原装原盘
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深圳市富利微电子科技有限公司
MJD210T4G
ON/安森美
24+
TO-252-2(DPAK)
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD210G
onsemi(安森美)
24+
TO-252
959
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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深圳市凌旭科技有限公司
MJD210TF
FSC
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TO252
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市科恒伟业电子有限公司
MJD210RLG
ON/安森美
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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深圳市金芯世纪电子有限公司
MJD210RL
ON/安森美
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SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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深圳市科芯源微电子有限公司
MJD210T4G
ON/安森美
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SOT525
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百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
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深圳市华睿芯科技有限公司
MJD210T4
ON
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TO252
20000
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深圳市冠亿通科技有限公司
MJD210T4G
ON/安森美
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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