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位置：首页 > IC中文资料第624页 > IRF9Z24N

IRF9Z24N价格

参考价格：￥1.5816

型号：IRF9Z24NPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF9Z24N多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF9Z24N批发/采购报价，IRF9Z24N行情走势销售排行榜，IRF9Z24N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z24N

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24N

-55V P-Channel MOSFET

Features VDS (V) =-55V ID = -12A (VGS = -10V) RDS(ON)

UMW

友台半导体

IRF9Z24N

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

INFINEON

英飞凌

IRF9Z24N

Advanced Process Technology

文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

IRF9Z24

POWER MOSFET

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRF9Z24

P-CHANNEL POWER MOSFETs

FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability

SAMSUNG

三星

IRF9Z24

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24

Power MOSFET

文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z24NL

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NL

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NS

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NS

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NSPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NSTRR

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

INFINEON

英飞凌

IRF9Z24NLPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NPBF

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF9Z24NPBF_15

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF9Z24NS

-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

INFINEON

英飞凌

IRF9Z24NS

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF9Z24NS

Advanced Process Technology

文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages

KERSEMI

IRF9Z24NSPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24N

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET P TO-220

IRF9Z24N供应商更多...

更新时间：2026-1-30 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市坤融电子科技有限公司
IRF9Z24NPBF
IR
2025+
TO-220
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
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深圳市勤思达科技有限公司
IRF9Z24N
IR
13+
TO-220/TO-263
10000
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF9Z24N,欢迎咨询洽谈。
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深圳市赛特兴科技有限公司
IRF9Z24NPBF
INFINEON
23+
TO-220
30000
正规渠道,只有原装!
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深圳市卓越微芯电子有限公司
IRF9Z24NPBF
IR
25+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市祥瑞智科技有限公司
IRF9Z24NPBF
INFINEON
25+
TO-220
12000
原装正品!!!优势库存!0755-83210901
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深圳市中联芯电子有限公司
IRF9Z24NPBF
IR
24+
TO-220
18355
原装现货假一赔十
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IRF9Z24NPBF
Infineon(英飞凌)
25+
TO-220AB
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
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深圳市东来宝电子科技有限公司
IRF9Z24NPBF
INFINEON
24+
Tube
75000
郑重承诺只做原装进口现货
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深圳市龙瀚电子有限公司
IRF9Z24NSTRLPBF
IR
16+
TO-263
6306
全新原装/深圳现货库2
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深圳市壹芯创科技有限公司
IRF9Z24NPBF
INFINEON
24+
TO-220
28000
原装现正品可看现货
询价

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IRF9Z24N规格书下载地址

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  • IRF9Z24NPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

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