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位置：首页 > IC中文资料第624页 > IRF9Z24N

IRF9Z24N价格

参考价格：￥1.5816

型号：IRF9Z24NPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF9Z24N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF9Z24N批发/采购报价，IRF9Z24N行情走势销售排行榜，IRF9Z24N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z24N

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24N

-55V P-Channel MOSFET

Features VDS (V) =-55V ID = -12A (VGS = -10V) RDS(ON)

UMW

友台半导体

IRF9Z24N

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRF9Z24N

Advanced Process Technology

文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

IRF9Z24

POWER MOSFET

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRF9Z24

P-CHANNEL POWER MOSFETs

FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability

Samsung

三星

IRF9Z24

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24

Power MOSFET

文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z24

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z24NL

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NL

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NS

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NS

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NSPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF9Z24NSTRR

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z24NLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NLPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

Infineon

英飞凌

IRF9Z24NLPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NPBF

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF9Z24NPBF_15

Lead-Free

文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF9Z24NS

-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRF9Z24NS

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF9Z24NS

Advanced Process Technology

文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages

KERSEMI

IRF9Z24NSPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24NSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRF9Z24N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24N

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF9Z24N供应商更多...

更新时间：2025-11-19 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
IRF9Z24N
IR
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  • IRF9Z24NPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

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