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IRF9Z24N中文资料

厂家型号

IRF9Z24N

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8

功能描述

-55V P-Channel MOSFET

MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

数据手册

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生产厂商

UMW

IRF9Z24N数据手册规格书PDF详情

Features

VDS (V) =-55V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON)

IRF9Z24N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z24N

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-8 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UMW
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
UMW(友台半导体)
25+
DIP
2200
国产替换现货降本
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13+
TO-220/TO-263
10000
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库存现货
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IRF9Z24NSTRLPBF 价格

参考价格:¥4.1290

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    2020-4-18