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位置：首页 > IC中文资料第3183页 > IRF9Z14S

IRF9Z14S价格

参考价格：￥3.0780

型号：IRF9Z14SPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRF9Z14S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF9Z14S批发/采购报价，IRF9Z14S行情走势销售排行榜，IRF9Z14S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z14S

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF9Z14S

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14S

Power MOSFET

FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S) • Low-profile through-hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) • 175 °C operating temperature • Fast switching • P-channel • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14S

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14S

HEXFET® Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF9Z14

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)

IRF

IRF9Z14

Repetitive Avalanche Rated

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14

Power MOSFET

文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14

Power MOSFET

文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：270.13 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z14S_V01

Power MOSFET

FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S) • Low-profile through-hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) • 175 °C operating temperature • Fast switching • P-channel • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14SPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14STRL

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14STRLPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14S/SiHF9Z14S/IRF9Z14L/SiHF9Z14L

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14SPBF

Power MOSFET

文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14STRLPBFA

Power MOSFET

文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14STRRPBF

Power MOSFET

文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z14S

  • 功能描述

    MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF9Z14S供应商更多...

更新时间：2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRF9Z14S
IR
24+
NA/
16212
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市正纳电子有限公司
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Vishay(威世)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
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2510000
TOP-3
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深圳市欧立现代科技有限公司
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IRF9Z14SPBF
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深圳市拓亿芯电子有限公司
IRF9Z14SPBF
VISHAY
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TO263
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IRF9Z14S规格书下载地址

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  • IRF9Z24NPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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