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IRF9Z14STRL	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF9Z14	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-6.7A)	IRF International Rectifier
IRF9Z14	RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF9Z14	PowerMOSFET 文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF9Z14	PowerMOSFET 文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF9Z14	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：270.13 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF9Z14STRLPBF	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF9Z14STRLPBFA	PowerMOSFET 文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体

IRF9Z14STRL产品属性

类型
描述
型号
IRF9Z14STRL
功能描述
MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-7-30 15:50:00

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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
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