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位置：首页 > IC中文资料第3183页 > IRF9Z14STRL

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z14STRL

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF9Z14

Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)

IRF

IRF9Z14

Repetitive Avalanche Rated

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati

VishayVishay Siliconix

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IRF9Z14

Power MOSFET

文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages

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Power MOSFET

文件：158.97 Kbytes Page：8 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRF9Z14

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：270.13 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z14STRLPBF

Power MOSFET

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IRF9Z14STRLPBFA

Power MOSFET

文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

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IRF9Z14STRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9Z14STRL

  • 功能描述

    MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF9Z14STRL供应商更多...

更新时间：2025-11-21 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

  • IRFB3607PBF

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